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更新日期：2024-03-31
簡要描述：
nippon二氧化硅/氧化鋁球形顆粒由高純度粉碎粉末在大氣中加熱熔化（噴霧法）制成的亞微米至100微米顆粒制成球形。純度高、填充性和流動性優異的球形細顆粒主要用作半導體封裝材料和散熱材料的填料。
| 品牌 | 其他品牌 |
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nippon二氧化硅/氧化鋁球形顆粒
由高純度粉碎粉末在大氣中加熱熔化（噴霧法）制成的亞微米至100微米顆粒制成球形。
純度高、填充性和流動性優異的球形細顆粒主要用作半導體封裝材料和散熱材料的填料。
它用作保護半導體芯片的密封劑的填料。
1.通用型| 產品名稱 | d50 | 比表面積 | 圓 | 二氧化硅 | 鈉+ | 氯- | 篩網 |
| 微米 | 平方米/克 | - | % | 百萬分之一 | 百萬分之一 | 微米 | |
| HS-102 | 27.0 | 1.5 | 0.89 | 99.9 | 0.2 | 0.1 | 72 |
| HS-103 | 28.0 | 1.7 | 0.90 | 99.9 | 0.2 | 0.1 | 72 |
| HS-106 | 21.0 | 2.7 | 0.93 | 99.8 | 0.2 | 0.1 | 72 |
| HS-109 | 26.0 | 2.4 | 0.94 | 99.9 | 0.2 | 0.1 | 75 |
| HS-112 | 16.0 | 3.4 | 0.94 | 99.8 | 0.2 | 0.1 | 72 |
| HS-208 | 20.0 | 2.4 | 0.96 | 99.8 | 0.2 | 0.1 | 53 |
| HS-209 | 18.0 | 2.5 | 0.96 | 99.8 | 0.2 | 0.1 | 45 |
| HS-206 | 12.0 | 3.2 | 0.97 | 99.9 | 0.3 | 0.1 | 32 |
| HS-207 | 9.5 | 3.5 | 0.98 | 99.9 | 0.3 | 0.1 | 20 |
| HS-304 | 28.0 | 0.7 | 0.94 | 99.8 | 0.2 | 0.1 | 75 |
| HS-308 | 17.0 | 1.0 | 0.97 | 99.9 | 0.3 | 0.1 | 50 |
| HS-312 | 9.5 | 2.3 | 0.95 | 99.9 | 0.2 | 0.2 | 50 |
| 產品名稱 | d50 | 比表面積 | 圓 | 二氧化硅 | 鈉+ | 氯- | 篩網 |
| 微米 | 平方米/克 | - | % | 百萬分之一 | 百萬分之一 | 微米 | |
| HS-311 | 2.2 | 7.6 | 0.98 | 99.0 | 0.8 | 0.1 | - |
（注）以上數值為典型值。
*可根據您的要求適應各種粒度、篩目等。請聯系我們。
主要用作散熱片材和薄膜中的填料，用于保護電子設備免受熱影響。它具有高溫下的熱穩定性和陶瓷顆粒之間的高導熱性等特性，有望用作電動汽車等下一代汽車的部件。
1.AZ系列| 產品名稱 | d50 | 比表面積 | 電導率 | 鈉+ | 氯- | 三氧化二鋁 | 篩網 |
| 微米 | 平方米/克 | 微秒/厘米 | 百萬分之一 | 百萬分之一 | % | 微米 | |
| AZ2L-75 | 3 | 1.3 | 7 | 四 | 8.0 | 99.9 | 75 |
| AZ4-75 | 五 | 0.6 | 6 | 3 | 1.5 | 99.9 | 75 |
| AZ10-75 | 11 | 0.3 | 四 | 3 | 1.0 | 99.9 | 75 |
| AZ35-125 | 37 | 0.2 | 五 | 6 | 0.4 | 99.9 | 125 |
| AZ75-150 | 75 | 0.2 | 十 | 十 | 0.5 | 99.9 | 150 |
（注）以上數值為典型值。
2.AY系列| 產品名稱 | d50 | 比表面積 | 電導率 | 鈉+ | 氯- | 三氧化二鋁 | 篩網 |
| 微米 | 平方米/克 | 微秒/厘米 | 百萬分之一 | 百萬分之一 | % | 微米 | |
| AY2-75 | 3 | 1.3 | 35 | 80 | 13.5 | 99.9 | 75 |
| AY4-75 | 五 | 0.6 | 20 | 30 | 1.5 | 99.9 | 75 |
| AY10-75 | 11 | 0.3 | 30 | 50 | 0.8 | 99.9 | 75 |
| AY35-125 | 37 | 0.2 | 20 | 30 | 0.5 | 99.9 | 125 |
| AY75-150 | 75 | 0.2 | 50 | 80 | 0.5 | 99.9 | 150 |
（注）以上數值為典型值。
*可根據您的要求適應各種粒度、篩目等。請聯系我們。
