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          日本napson非接觸型超低電阻范圍的電阻測量

          訪問次數:1221

          更新日期:2024-03-17

          簡要描述:

          日本napson非接觸型超低電阻范圍的電阻測量PVE-80
          非接觸型(脈沖電壓激勵法)超低電阻范圍的電阻測量系統
          由于是使用脈沖電壓激勵法作為測量原理的非接觸電阻測量系統,因此可以在不損壞樣品的情況下進行測量。

          日本napson非接觸型超低電阻范圍的電阻測量

          日本napson非接觸型超低電阻范圍的電阻測量PVE-80

          產品特點

          • 由于是使用脈沖電壓激勵法作為測量原理的非接觸電阻測量系統,因此可以在不損壞樣品的情況下進行測量。

          • 節省空間的設計主體外殼,便攜式可移動平臺

          • 通過PC(軟件)進行簡單的測量操作,數據存儲和管理

          • 測量顯示單元可以根據應用(薄層電阻,電導率,電導率)進行更改

            *本產品使用由我公司與千葉大學聯合開發的脈沖電壓激勵方法(專li號5386394)。

          測量規格

          測量目標

          與新材料/功能材料相關(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)與
          導電薄膜相關(金屬,ITO等)
          與化合物半導體相關(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
          其他(*查詢)請給我)

          測量尺寸

          ?A4尺寸(W300 x D210mm)

          測量范圍

          50μ?1mΩ/平方

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