日本shinkuu磁控離子濺射儀MSP-1S產品分析

發布日期：2025-11-18      瀏覽次數：0

日本shinkuu磁控離子濺射儀MSP-1S是一款專為精密薄膜制備場景設計的高性能實驗室級設備，憑借其穩定的濺射工藝、緊湊的結構設計以及廣泛的適用性，在材料科學、電子工程、光學器件等領域備受科研機構與企業用戶的青睞。該設備以磁控濺射技術為核心，通過精準控制離子轟擊靶材并實現靶材原子的沉積，為用戶提供高質量、可重復的薄膜制備解決方案。
一、核心技術與工作原理
MSP-1S采用先進的磁控濺射技術，其核心工作原理是在真空腔體內，通過射頻（RF）或直流（DC）電源激發惰性氣體（通常為氬氣）形成等離子體。設備內置的高磁場系統會對等離子體中的電子進行約束，延長電子與氣體分子的碰撞路徑，從而提高等離子體的電離效率。高能離子在電場作用下加速轟擊靶材表面，使靶材原子獲得足夠能量脫離表面并沉積在襯底上，最終形成均勻、致密的薄膜。
相較于傳統濺射技術，MSP-1S的磁控系統大幅降低了電子對襯底的轟擊損傷，同時提高了濺射速率與薄膜純度，尤其適用于對襯底溫度敏感或對薄膜質量要求高的制備場景。
二、關鍵性能參數
MSP-1S的性能參數經過精心優化，兼顧了制備效率與薄膜質量，核心參數如下：
1. 真空系統：采用復合真空抽氣機組，包括機械泵與分子泵（或擴散泵），可快速將真空腔體內真空度抽至5×10?? Pa以下的高真空狀態，有效減少氣體雜質對薄膜沉積的影響，保障薄膜純度。

2. 濺射電源：支持直流（DC）和射頻（RF）兩種濺射模式，直流模式輸出功率范圍為0-300W，射頻模式輸出功率范圍為0-150W，可根據靶材類型（導體、半導體、絕緣體）靈活切換，適配金、銀、銅、鋁、氧化硅、氮化硅等多種靶材。

3. 靶材與襯底：標配1-2個靶位，靶材尺寸支持Φ50mm×3mm等常規規格，可兼容多種材質靶材；襯底臺支持Φ76mm以下襯底，部分型號可選配襯底加熱功能（室溫-300℃可調）或旋轉功能，進一步提升薄膜均勻性。

4. 薄膜性能：制備的薄膜均勻性誤差可控制在±5%以內（Φ50mm襯底范圍內），薄膜厚度可通過濺射時間、功率等參數精準調控，厚度重復性誤差≤3%，滿足精密實驗與小批量生產對薄膜一致性的要求。

5. 控制系統：采用集成化觸控操作面板，可直觀設置真空度、濺射功率、濺射時間、氣體流量等關鍵參數，配備參數記憶功能，支持常用工藝配方的存儲與調用，簡化操作流程。
三、適用應用領域
基于其靈活的工藝調節能力與穩定的制備性能，MSP-1S廣泛應用于多個領域的薄膜制備需求，主要包括：
1. 材料科學研究：用于制備金屬、半導體、陶瓷等多種材質的薄膜，開展薄膜結構、力學性能、電學性能等基礎研究，為新型材料開發提供支撐。

2. 電子器件制備：可制備電極薄膜、絕緣層薄膜等，應用于微型傳感器、薄膜電阻、電容器等電子元件的研發與小批量生產。

3. 光學領域：用于制備增透膜、反射膜、濾光膜等光學薄膜，適配光學鏡片、光纖器件、顯示面板等產品的研發需求。

4. 生物醫學領域：在醫用材料表面改性中應用廣泛，通過沉積生物相容性薄膜（如鈦膜、羥基磷灰石膜），提升醫用植入器件的生物相容性與耐磨性。

5. 教學與實訓：其緊湊的結構與便捷的操作的特點，使其成為高等院校材料、電子等專業的實驗教學設備，用于演示磁控濺射原理與薄膜制備流程。
四、產品核心優勢
1. 高穩定性與重復性：采用高精度真空控制模塊與電源調節系統，確保工藝參數的精準控制，多次制備的薄膜性能一致性優異，減少實驗誤差。

2. 緊湊設計，節省空間：設備整體體積小巧（約W600×D800×H1200mm），無需大面積安裝空間，適配實驗室有限的布局需求，同時便于設備的移動與維護。

3. 多靶兼容，靈活適配：支持多靶位配置與多種濺射模式切換，可滿足不同材質靶材的濺射需求，降低用戶更換實驗方案的成本。

4. 操作便捷，易于上手：集成化觸控界面與工藝配方存儲功能，簡化了復雜參數的設置流程，即使是新手用戶也能快速掌握設備操作。

5. 可靠的安全保障：配備真空異常報警、過流保護、高溫防護等多重安全裝置，當設備出現真空泄漏、電源過載等異常情況時，會自動觸發保護機制，保障操作人員與設備安全。
五、總結
日本shinkuu磁控離子濺射儀MSP-1S以“高精度、高穩定、高靈活"為核心特點，通過成熟的磁控濺射技術與人性化的設計，為科研與小批量生產場景提供了高效的薄膜制備解決方案。無論是基礎材料研究、電子器件研發，還是光學薄膜制備，MSP-1S都能憑借其優異的性能滿足用戶的多樣化需求，是實驗室薄膜制備設備的理想選擇。